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乾蝕刻製程技術
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乾蝕刻製程技術
◆ 反應式離子乾蝕刻

機台: ULVC 3000 乾蝕刻機
Gas system: SF6, CF4
製程:
• Silicon oxide etch
• Silicon nitride etch
• Polymer discumm


感應耦合電漿反應式離子矽深蝕刻

機台: STS ICP RIE
Gas system: SF6, C4F8, Ar, O2
製程:
• Deep Silicon etch
• Bosch process


◆ 光阻灰化

機台: B.C. Asher
Gas system: N2, O2
製程:
• 光阻灰化



 

 



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●SOUTHERN TAIWNA SCENCE PARK
●Add : 3F.-2, No.19, Nanke 3rd Rd., Sinshih Township, Tainan County 744, Taiwan (R.O.C.)
●E-mail: cmchu.afs@msa.hinet.net
●Tel : +886-6-505-3705 Ext : 10
●Fax :+886-6-505-3711